차세대 반도체 소자의 경우, 낮은 유전율과 낮은 에칭 속도를 실현할 수 있는 새로운 유전체 소재의 개발이 요구되고 있습니다. 이를 위한 유력한 방법 중 하나는 실리콘 질화물에 탄소를 도입할 수 있게 해주는 원자층 증착(ALD) 공정입니다.

이번 웨비나에서는 Schrödinger와 Lam Research의 협업 사례를 통해, 계산 과학(DFT)과 실험(RGA, FTIR)을 결합하여 최적의 전구체를 효율적으로 선정하는 접근 방식을 소개해 드리겠습니다.

이론과 실험을 연계함으로써 공정에 대한 이해를 심화하고, 소재 개발을 가속화하는 구체적인 방법을 알기 쉽게 설명합니다.

다음과 같은 분들께 추천합니다

• 반도체용 박막 소재(SiN, SiCN 등) 개발 및 ALD/CVD 공정에 종사하는 연구자 및 공정 엔지니어
• 신규 전구체 선정이나 저온 증착 공정의 최적화에 어려움을 겪고 계신 소재 개발 담당자 여러분
• 계산 과학과 실험을 결합한 R&D 접근 방식에 관심이 있으며, 개발 효율을 높이고자 하는 분