Atomic layer deposition: Bridging theory and experiment to design a process for silicon carbonitride
原子層堆積(ALD)における理論と実験の融合 ― シリコンカーボナイトライド成膜プロセス設計

次世代半導体デバイスでは、低誘電率や低エッチングレートを実現する新しい誘電材料の開発が求められています。その有力な手法の一つが、シリコンナイトライドへの炭素導入を可能にする原子層堆積（ALD）プロセスです。

本ウェビナーでは、SchrödingerとLam Researchのコラボレーション事例を通じて、計算科学(DFT)と実験(RGA、FTIR)を組み合わせ、最適な前駆体を効率的に選定するアプローチをご紹介します。

理論と実験を連携させることで、プロセス理解を深め、材料開発を加速する具体的な方法を分かりやすく解説します。

こんな方におすすめです

• 半導体向け薄膜材料（SiN、SiCN など）の開発やALD／CVDプロセスに携わる研究者・プロセスエンジニアの方
• 新規前駆体の選定や低温成膜プロセスの最適化に課題を感じている材料開発担当者の方
• 計算科学と実験を組み合わせたR&Dアプローチに関心があり、開発効率を高めたいと考えている方

【セミナー形式】
Zoom webinarを使用したオンライン形式

【お申込みにあたって】
職場･学校で使用されるメールアドレスをご入力ください。Gmail、キャリアメール等は利用できません。
参加お一人様につき一登録をお願いします。アクセスリンクの共有はご遠慮ください。
当日は、お申し込みの際に登録いただいた氏名・メールアドレスにてご参加ください。
同業他社さまにはご参加をご遠慮頂いております。ご理解のほど宜しくお願い致します。

※ご質問、ご不明な点がございましたら下記までお問い合わせください。
シュレーディンガー株式会社
E-mail: info-japan@schrodinger.com