在下一代半导体器件领域，亟需开发能够实现低介电常数和低刻蚀速率的新型介电材料。其中一种有前景的方法是原子层沉积（ALD）工艺，该工艺能够向氮化硅中掺入碳。

在本场网络研讨会中，我们将通过Schrödinger与Lam Research的合作案例，介绍一种将计算科学（DFT ）与实验（RGA、FTIR）相结合、高效筛选最佳前驱体的方法。

本文将通俗易懂地讲解如何通过理论与实验的结合，加深对工艺的理解并加速材料开发。

推荐给以下人群

• 从事半导体用薄膜材料（如SiN、SiCN等）开发以及ALD/CVD工艺的研究人员和工艺工程师
• 正在为新前驱体的选定或低温成膜工艺的优化而感到困扰的材料开发人员
• 对结合计算科学与实验的研发方法感兴趣，并希望提高开发效率的人士