NOV 18, 2025

原子层沉积数字论坛：架起理论与实验的桥梁，设计碳氮化硅工艺

未来的半导体 设备需要具有精确可控性能的新型介电材料，例如更低的介电常数 和更低的蚀刻速率，这可以通过向常用的氮化硅和二氧化硅中掺入碳来实现。虽然传统上采用化学气相沉积（CVD）技术来引入碳，但使用硅前驱体的原子层沉积（ALD）新技术能够提供更高的精度。 然而，要实现这一目标，需要开发可在低温下使用的新型前驱体，这仍是高科技行业面临的一大挑战——这也凸显了需要采取创新方法来加速相关发现的迫切性。

在这个数字论坛上，Schrödinger 和Lam Research将展示一种强大的研发方法，该方法将最先进的密度泛函理论（DFT ）与利用RGA和FTIR进行的互补性实验相结合。该团队评估了八种潜在的烷基氯硅烷，以确定其中哪一种在与氨气配合用于氮化硅沉积时，在保留碳方面最具潜力。这个例子说明了单个技术只能提供关于实际工艺的部分信息。 要全面应对工艺的复杂性，理论与实验之间必须紧密互动。因此，每一项理论证据都需通过实验进行验证，并逐步构建起对化学反应在工艺条件下如何变化的全面理解。 

欢迎加入我们的讨论，共同探讨理论与实验如何有效结合，以解决高科技产业面临的研发挑战。