講演者：
サイモン・D・エリオット、原子レベルプロセスシミュレーション担当ディレクター

要旨：
化学ベースの成膜およびエッチングの成否は、主にガスphase の化学物質の選択にかかっている。原子層堆積（ALD）や、より一般的な化学気相堆積（CVD）において、前駆体となる化学物質は、多くの場合、金属中心を配位子が取り囲む有機金属錯体である。リガンド ALD/CVD前駆体の選択は、スループット、化学量論、不純物、およびプロセス温度の観点から極めて重要である。 ヘテロレプティック前駆体（1種類以上のリガンド を含む）は、相反する化学的要件のバランスをとるための1つの手段である。しかし、現在に至るまで、考えられるヘテロレプティック前駆体の膨大な化合物空間 のほんの一端に触れたに過ぎない。網羅的な実験的解析は不可能であるため、最も有望な選択肢に絞り込むために計算によるスクリーニングに目を向けている。 ここでは、熱安定性の観点から金属前駆体をスクリーニングするための計算機的手法を紹介する。この計算戦略は、腐食性環境下で工業用部品を保護するための硬質コーティングとして用いられる窒化ジルコニウムのZr前駆体を例に説明する。